装置
ガラス基板成膜装置
●低温(150～300℃)処理
●高品質なSiO2膜の形成
低ストレス、プラズマダメージレス、
小パーティクル
●導入・維持コストの削減
小フットプリント、真空・プラズマ処理不要
●低価格
特長
FPDなどリジット/フレキシブルデバイスに対応した4.5世代ガラス基板成膜装置です。
成膜有効幅760mmのガスヘッド2基を搭載し、吸着式加熱ステージの採用により、
温度制御性±3％以内を実現しました。
4.5世代ガラス基板に250℃で100nmのSiO2膜をスループット 25枚/h以上で成膜が可能で、
膜厚均一性10％以内を確保できます。
性能
| 膜厚均一性 | ±10% | |||||||||||||||||
| 対応ウェハサイズ | 4.5世代 | |||||||||||||||||
| ガス種 | SiH4, O3, PH3, B2H6 | |||||||||||||||||
| 成膜温度 | 150～300℃ | |||||||||||||||||
主な仕様
| 装置サイズ | 1300mm(W) x 7350mm(D) x 2000mm(H) | |||||||||||||||||
| ガスヘッド | 成膜有効幅760mmのガスヘッド2基搭載 | |||||||||||||||||
