ガラス基板成膜装置

装置

ガラス基板成膜装置

●低温(150~300℃)処理
●高品質なSiO2膜の形成
 低ストレス、プラズマダメージレス、
 小パーティクル
●導入・維持コストの削減
 小フットプリント、真空・プラズマ処理不要
●低価格

特長

 FPDなどリジット/フレキシブルデバイスに対応した4.5世代ガラス基板成膜装置です。

 成膜有効幅760mmのガスヘッド2基を搭載し、吸着式加熱ステージの採用により、
 温度制御性±3%以内を実現しました。

 4.5世代ガラス基板に250℃で100nmのSiO2膜をスループット 25枚/h以上で成膜が可能で、
 膜厚均一性10%以内を確保できます。

性能
膜厚均一性 ±10%
対応ウェハサイズ 4.5世代
ガス種 SiH4, O3, PH3, B2H6
成膜温度 150~300℃
主な仕様
装置サイズ 1300mm(W) x 7350mm(D) x 2000mm(H)
ガスヘッド 成膜有効幅760mmのガスヘッド2基搭載

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