高精細フォトマスク対応スピンタイプ洗浄装置 WULFシリーズ

装置

高精細フォトマスク対応スピンタイプ洗浄装置 WULFシリーズ

●洗浄面への洗浄液高速拡散
●異物・反応生成物の急速排除
●ウォーターマークレス乾燥

特長

 LSIの高性能化に伴い、フォトマスク/レチクルは、より高精細 ・ 高精度である事を要求されて
 います。当社の洗浄装置はこれら製品のハイクリーン化と歩留向上に寄与し、より完成度の高い
 製品の生産にご協力いたします。

 機能水を使用したスピン洗浄ユニットを装備、ワーク回転の遠心力とオゾン水、アンモニア添加
 水素水吐出により、検出限界レベルまで有機物・金属イオン・異物を除去可能なユニットです。
 各洗浄液を切り換えて洗浄することにより、ワーク上の不純堆積物を高速除去するとともに
 廃液管理も安全な環境対応ツールです。

●RCA洗浄液に変わる洗浄液・洗浄方法の採用
 SPM → オゾン水
  ・完全室温洗浄の実現(高温プロセス不要)
  ・マスク上の薬液残留量減少
  ・廃液処理の安全化(ISO14000対策)
 SC-1 → アンモニア添加水素水
  ・MoSiハーフトーンマスクのエッチング防止

性能
PSM final clean (SPM free)
Category No. Item Specification
Blank 1 Particle Free >32nm
2 PRE% ≧95%
Image Layer
(pattern side)
3 Remaining Soft defect on QZ ≧0.05um (Yield: 98%)
4 Remaining Soft defect on Shifter ≧0.05um, ≦10ea (Yield: 98%)
5 SRAF (Dark) missing No missing
6 Pattern damage, ESD, Scratch No damage
7 Shifter change (Phase) ≦-0.2 degree, average by 10X clean
8 Shifter change (Trans.) ≦0.025%, average by 10X clean
9 Shifter change (CD mean) ≦0.15nm, average by 10X clean
10 Shifter change (CD Range) ≦0.5nm, average by 10X clean
Ion residues 11 Chemical residue (SO4) ≦0.5ppb
12 Chemical residue (NH4) ≦17.0ppb
概略仕様

洗浄装置本体 7300mm(W) x 1410mm(D) x 2300mm(H)
動力BOX 1400mm(W) x 500mm(D) x 2150mm(H)
薬液BOX 2500mm(W) x 700mm(D) x 2000mm(H)
フィルターBOX 2600mm(W) x 700mm(D) x 2000mm(H)
HOT DIW ユニット 1250mm(W) x 550mm(D) x 1750mm(H)
水素水・炭酸水ユニット 1050mm(W) x 1500mm(D) x 2000mm(H)
オゾン水ユニット 570mm(W) x 850mm(D) x 2000mm(H)
ユーティリティ 3相 200V・単相 100V
DIW・冷却水
クリーンドライエア・窒素ガス
一般排気・酸排気・アルカリ排気

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