装置
高精細フォトマスク対応スピンタイプ洗浄装置 WULFシリーズ
●洗浄面への洗浄液高速拡散
●異物・反応生成物の急速排除
●ウォーターマークレス乾燥
特長
LSIの高性能化に伴い、フォトマスク／レチクルは、より高精細 ・ 高精度である事を要求されています。当社の洗浄装置はこれら製品のハイクリーン化と歩留向上に寄与し、より完成度の高い製品の生産にご協力いたします。
機能水を使用したスピン洗浄ユニットを装備、ワーク回転の遠心力とオゾン水、アンモニア添加水素水吐出により、検出限界レベルまで有機物・金属イオン・異物を除去可能なユニットです。各洗浄液を切り換えて洗浄することにより、ワーク上の不純堆積物を高速除去するとともに廃液管理も安全な環境対応ツールです。
●RCA洗浄液に変わる洗浄液・洗浄方法の採用
SPM → オゾン水
・完全室温洗浄の実現(高温プロセス不要)
・マスク上の薬液残留量減少
・廃液処理の安全化(ISO14000対策)
SC-1 → アンモニア添加水素水
・MoSiハーフトーンマスクのエッチング防止
性能
| PSM final clean (SPM free) | |||
| Category | No. | Item | Specification |
| Blank | 1 | Particle Free | ＞32nm |
| 2 | PRE% | ≧95% | |
| Image Layer (pattern side) |
3 | Remaining Soft defect on QZ | ≧0.05um (Yield: 98%) |
| 4 | Remaining Soft defect on Shifter | ≧0.05um, ≦10ea (Yield: 98%) | |
| 5 | SRAF (Dark) missing | No missing | |
| 6 | Pattern damage, ESD, Scratch | No damage | |
| 7 | Shifter change (Phase) | ≦-0.2 degree, average by 10X clean | |
| 8 | Shifter change (Trans.) | ≦0.025%, average by 10X clean | |
| 9 | Shifter change (CD mean) | ≦0.15nm, average by 10X clean | |
| 10 | Shifter change (CD Range) | ≦0.5nm, average by 10X clean | |
| Ion residues | 11 | Chemical residue (SO4) | ≦0.5ppb |
| 12 | Chemical residue (NH4) | ≦17.0ppb | |
概略仕様
| 洗浄装置本体 | 7300mm(W) x 1410mm(D) x 2300mm(H) |
| 動力BOX | 1400mm(W) x 500mm(D) x 2150mm(H) |
| 薬液BOX | 2500mm(W) x 700mm(D) x 2000mm(H) |
| フィルターBOX | 2600mm(W) x 700mm(D) x 2000mm(H) |
| HOT DIW ユニット | 1250mm(W) x 550mm(D) x 1750mm(H) |
| 水素水・炭酸水ユニット | 1050mm(W) x 1500mm(D) x 2000mm(H) |
| オゾン水ユニット | 570mm(W) x 850mm(D) x 2000mm(H) |
| ユーティリティ | 3相 200V・単相 100V DIW・冷却水 クリーンドライエア・窒素ガス 一般排気・酸排気・アルカリ排気 |
