装置
高精細フォトマスク対応スピンタイプ洗浄装置 WULFシリーズ
●洗浄面への洗浄液高速拡散
●異物・反応生成物の急速排除
●ウォーターマークレス乾燥
特長
LSIの高性能化に伴い、フォトマスク／レチクルは、より高精細 ・ 高精度である事を要求されて
います。当社の洗浄装置はこれら製品のハイクリーン化と歩留向上に寄与し、より完成度の高い
製品の生産にご協力いたします。
機能水を使用したスピン洗浄ユニットを装備、ワーク回転の遠心力とオゾン水、アンモニア添加
水素水吐出により、検出限界レベルまで有機物・金属イオン・異物を除去可能なユニットです。
各洗浄液を切り換えて洗浄することにより、ワーク上の不純堆積物を高速除去するとともに
廃液管理も安全な環境対応ツールです。
●RCA洗浄液に変わる洗浄液・洗浄方法の採用
SPM → オゾン水
・完全室温洗浄の実現(高温プロセス不要)
・マスク上の薬液残留量減少
・廃液処理の安全化(ISO14000対策)
SC-1 → アンモニア添加水素水
・MoSiハーフトーンマスクのエッチング防止
性能
| PSM final clean (SPM free) | |||
| Category | No. | Item | Specification |
| Blank | 1 | Particle Free | ＞32nm |
| 2 | PRE% | ≧95% | |
| Image Layer (pattern side) |
3 | Remaining Soft defect on QZ | ≧0.05um (Yield: 98%) |
| 4 | Remaining Soft defect on Shifter | ≧0.05um, ≦10ea (Yield: 98%) | |
| 5 | SRAF (Dark) missing | No missing | |
| 6 | Pattern damage, ESD, Scratch | No damage | |
| 7 | Shifter change (Phase) | ≦-0.2 degree, average by 10X clean | |
| 8 | Shifter change (Trans.) | ≦0.025%, average by 10X clean | |
| 9 | Shifter change (CD mean) | ≦0.15nm, average by 10X clean | |
| 10 | Shifter change (CD Range) | ≦0.5nm, average by 10X clean | |
| Ion residues | 11 | Chemical residue (SO4) | ≦0.5ppb |
| 12 | Chemical residue (NH4) | ≦17.0ppb | |
概略仕様
| 洗浄装置本体 | 7300mm(W) x 1410mm(D) x 2300mm(H) |
| 動力BOX | 1400mm(W) x 500mm(D) x 2150mm(H) |
| 薬液BOX | 2500mm(W) x 700mm(D) x 2000mm(H) |
| フィルターBOX | 2600mm(W) x 700mm(D) x 2000mm(H) |
| HOT DIW ユニット | 1250mm(W) x 550mm(D) x 1750mm(H) |
| 水素水・炭酸水ユニット | 1050mm(W) x 1500mm(D) x 2000mm(H) |
| オゾン水ユニット | 570mm(W) x 850mm(D) x 2000mm(H) |
| ユーティリティ | 3相 200V・単相 100V DIW・冷却水 クリーンドライエア・窒素ガス 一般排気・酸排気・アルカリ排気 |
