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常圧CVD(APCVD)装置

装置

常圧CVD(APCVD)装置

特長

●半導体・電子部品・太陽電池製造用等、様々な用途に対応
●少量生産から大量生産まで対応
●SiO2(NSG,USG)・BPSG・BSG・PSG・AlOx膜等様々な膜が成膜可能
●低温(200℃)から中温(450℃)領域まで幅広い成膜が可能
●SiCトレーの採用により重金属汚染を抑制

概要

●連続式常圧CVD(APCVD)装置
・小口径用から12″用までラインナップ
・高スループット(6″-120枚/時・8″-100枚/時・12″-56枚/時)
●枚葉式常圧CVD(APCVD)装置
・省フットプリント
・SiCウェハ等、ソリの大きなウェハにも対応
●バッチ式常圧CVD(APCVD)装置
・不定形基板対応
・低温プロセス対応

基本性能
膜厚均一性 ≦±3.0%
対応ウェハサイズ 12インチ
ガス種 SiH4, O2, PH3, B2H6, N2
成膜温度 350~430℃
生産性 ~56枚/時
膜厚均一性 ≦±3.0%
対応ウェハサイズ (~5インチ)・6インチ・8インチ
ガス種 SiH4, O2, PH3, B2H6, N2
成膜温度 350~430℃
生産性 ~100枚/時
膜厚均一性 ≦±4.0%
対応ウェハサイズ ~6インチ
ガス種 SiH4, O2, PH3, B2H6, N2
成膜温度 350~430℃
生産性 ~120枚/時
膜厚均一性 ≦±2.0%
対応ウェハサイズ ~8インチ
ガス種 SiH4, O2, PH3, B2H6, N2 (TEOS, TEB, TMOP, O3はオプション)
成膜温度 300~450℃
生産性 ~15枚/時 (500nm成膜時)
膜厚均一性 膜厚・膜種による
対応ウェハサイズ 加熱可能ゾーンに準じる
ガス種 SiH4, O2, PH3, B2H6, N2
(TEOS, TEB, TMOP, O3, TMAはオプション)
成膜温度 350~450℃ (200~350℃)
生産性
膜厚均一性 ≦±10%
対応ウェハサイズ 156mm角・126mm角
ガス種 SiH4, O2, PH3, B2H6, N2
成膜温度 ~430℃
生産性 ~1500枚/時
膜厚均一性 ±10%
対応ガラス基板サイズ 4.5世代
ガス種 SiH4, O3, PH3, B2H6, N2
成膜温度 150~300℃

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