常圧CVD(APCVD)装置

基本情報

密閉式チャンバー内で、ウェハを成膜面を下に向け裏面を吸着した状態で加熱させ、プロセスガスを下部より吹き上げながら成膜するFace-down成膜方式の採用により、低パーティクルで安全かつ高品質な成膜を実現しました。特許取得済のウェハ反り矯正機能により、SiCウェハの様な反りの大きなウェハでも確実に吸着でき、優れた膜厚均一性を得ることが可能です。
ウェハ周辺の副反応生成物の付着を低減させた構成にすることで、メンテナンス性（低負荷かつ長周期）を向上させています。
コンパクトな筐体サイズで、隣接設置も可能なので、フットプリントを最小化することができます。
●装置サイズ(mm): 890(W) x 2300(D) x 2250(H)
●ガス種: SiH4/O2系 (SiH4/PH3/B2H6/O2/N2)
　　　　 TEOS/O3系 (TEOS/TMOP/TEB/O3/O2/N2)(オプション)
●成膜温度: 350～450℃

※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧ください。

用途／実績例

【用途】
　・パワー半導体用層間絶縁膜(NSG/PSG/BPSG)
　・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG)
　・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG)
　・光導波路(NSG/BPSG)
【納入実績】
　・国内外半導体デバイスメーカー
　・大学/研究機関・研究所

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基本情報

ウェハを載せたトレーを連続で搬送させ、下部より加熱しながらディスパージョンヘッド(ガスノズル)下を通過させることで成膜させることで、高スループット(高生産性)を実現しました。
トレー材質にはSiCを採用することで、重金属汚染(メタルコンタミネーション)を最小限にし、また長期的に安定したプロセス性能を得ることが可能となりました。
トレー交換を容易に行える自動交換機能など、メンテナンス性も良好です。
AMAX800Vは、8インチまでのウェハに対応し、最大で1時間あたり100枚の成膜が可能です。
また、AMAX800Vのメンテナンス性を更に向上させたAMAX800V2もラインナップしております。
●装置サイズ(mm): 1460mm(W) x 3830mm(D) x 2250mm(H)
●ガス種: SiH4/O2系 (SiH4/PH3/B2H6/O2/N2)
●成膜温度: 350～430℃

※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧ください。

用途／実績例

【用途】
　・エピタキシャル(Epitaxial)ウェハ用バックシール(NSG)
　・パワー半導体用層間絶縁膜(NSG/PSG/BPSG)
　・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG)
　・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG)
【納入実績】
　・国内外ウェハメーカー
　・半導体デバイスメーカー
　・AMAXシリーズ合計: 180台以上

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基本情報

ウェハを載せたトレーを連続で搬送させ、下部より加熱しながらディスパージョンヘッド(ガスノズル)下を通過させることで成膜させることで、高スループット(高生産性)を実現しました。
トレー材質にはSiCを採用することで、重金属汚染(メタルコンタミネーション)を最小限にし、また長期的に安定したプロセス性能を得ることが可能となりました。
トレー交換を容易に行える自動交換機能など、メンテナンス性も良好です。
AMAX1200は、12インチまでのウェハに対応し、最大で1時間あたり56枚の成膜が可能です。
●装置サイズ:2165mm(W) x 4788mm(D) x 2250mm(H)
●ガス種: SiH4/O2系 (SiH4/PH3/B2H6/O2/N2)
●成膜温度: 350～430℃

※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧ください。

用途／実績例

【用途】
　・エピタキシャル(Epitaxial)ウェハ用バックシール(NSG)
　・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG)
【納入実績】
　・国内外ウェハメーカー
　・半導体デバイスメーカー
　・AMAXシリーズ合計: 180台以上

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基本情報

大型トレーに複数枚ウェハをマニュアル装填し、トレーがディスパージョンヘッド(ガスノズル)下を往復させ成膜を行います。
常圧CVD(APCVD)の特色はそのまま、手軽に成膜が可能す。
●納入実績
　・国内外半導体デバイス/オプトデバイスメーカー
　・大学/研究機関
●装置サイズ(mm): 1200mm(W) x 2480mm(D) x 1940mm(H)
●ガス種: SiH4/O2系 (SiH4/PH3/B2H6/O2/N2)
　　　　 TEOS/O3系 (TEOS/TMOP/TEB/O3/O2/N2)(オプション)
　　　　 SiH4/O3系 (SiH4/PH3/B2H6/O3/O2/N2)(オプション)
●成膜温度: 350～430℃（SiH4/O3系 150～300℃)

※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧ください。

用途／実績例

【用途】
　・層間絶縁膜(NSG/PSG/BPSG)
　・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG)
　・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG)
　・太陽電池(セル)向け固相拡散用ソース膜(BSG,PSG)/キャップ膜(NSG)
【納入実績】
　・国内外半導体デバイス/オプトデバイスメーカー
　・大学/研究機関

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基本情報

太陽電池の生産ニーズに合致した大量生産を可能にするために、大型ディスパージョンヘッド(ガスノズル)と超高速ダブルアーム搬送機構を搭載しています。
また、太陽電池用薄ウェハ対応のため、特殊ウェハホルダー・ランプ加熱機構・多段ベルヌイチャック等を採用しました。
●装置サイズ(mm): 1860mm(W) x 5900mm(D) x 2100mm(H)
●ガス種: SiH4/O2系 (SiH4/PH3/B2H6/O2/N2)
●成膜温度: ～430℃

※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧ください。

用途／実績例

【用途】
　・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜(NSG)
　・パッシベーション膜(保護膜・絶縁膜)(NSG)
　・固相拡散用ソース膜(BSG,PSG)/キャップ膜(NSG)
【納入実績】
　・国内外太陽電池セルメーカー

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基本情報

成膜有効幅760mmのガスヘッド2基を搭載し、吸着式加熱ステージの採用により、温度制御性±3％以内を実現しました。
4.5世代ガラス基板に250℃で100nmのSiO2膜をスループット 25枚/h以上で成膜が可能で、膜厚均一性10％以内を確保できます。
●装置サイズ(mm): 1300mm(W) x 7350mm(D) x 2000mm(H)
●ガス種: SiH4, O3/O2, PH3, B2H6
●成膜温度: 150～300℃

※詳しくはお問い合わせください。

用途／実績例

【用途】
・FPD向け絶縁膜(NSG)
・酸化物半導体TFT パッシベーション膜(NSG)

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